Report-Investor: AIXTRON AG - Geschäftsbericht 2009

AIX TRON 2009 071DIE pErformancE // kONzeRNl AGebeRICHT usd 683 Mio. Für das Geschäftsjahr 2009 erwartet AIXTRON weiterhin einen Marktanteil von über 60 % am weltweiten MOCvd-Markt und damit den erhalt der Weltmarktführerschaft. bei Anlagen zur Herstellung von organischen Halbleitern konkurriert AIXTRON mit etablierten Herstellern wie ulvac, Inc. (Japan), Tokki Corporation (Japan), Applied Materials, Inc. (usA), doosan dNd Co., ltd. (südkorea), sunic system (südkorea) sowie einer Anzahl kleinerer unter- nehmen. Jedoch setzen diese vakuumthermische verdampfungstechnologien (vacuum Thermal evaporation, vTe) und polymertechnologien zur Herstellung von Oleds (Organic light emitting diodes) ein. AIXTRON hingegen verwendet die hoch innovative Technologie der organischen Gasphasenabscheidung Ovpd® (Organic vapor phase deposition) oder der polymeren Gaspha- senabscheidung pvpd (polymer vapor phase deposition) für großflächige beschichtungen. AIXTRON ist davon überzeugt, dass diese Technologien den herkömmlichen verfahren technisch überlegen sind und erhebliche potenziale zur senkung der Herstellungskosten für Oleds bergen. AIXTRON sieht große Chancen, schlüssellieferant zur Herstellung der nächsten Oled-Generation werden zu können. diese werden möglicherweise eingesetzt in neuartigen, selbstleuchtenden displays, in der beleuchtung, in solarzellen und in anderen elektronischen Anwendungen. AIXTRON sowie seine kunden und deren Oled-Anwendungen befinden sich noch in der phase der Markteinführung, weshalb Marktdaten für diesen bereich derzeit nicht verfügbar sind. bei Cvd-, Avd®- und Ald-Anlagen steht AIXTRON mit diversen Anlagenherstellern im Wettbewerb. Hierzu gehören u. a. Applied Materials, Inc. (usA), Tokyo electron, ltd. (Japan), AsM International N.v. (Niederlande), veeco Instruments, Inc. (usA), Ips Technology (südkorea), Jusung engineering Co., ltd. (südkorea) und Hitachi kokusai electric Co., ltd. (Japan). Mit seinen Technologien zur Herstellung von siliziumhalbleitern ist AIXTRON für strukturgrößen unterhalb 32 nm bei speicher- chips und unter 22 nm bei Mikroprozessoren gut positioniert. diese Technologien ermöglichen eine extrem hohe präzision bei der Abscheidung sehr dünner Materialschichten z.b. für die Herstellung von Computerchips der nächsten Generation. damit eröffnen sie der Halbleiterindustrie neue Materialsysteme und damit großes entwicklungspotenzial für die zukunft. Auf basis von aktuellen schätzungen des Marktforschungsinstituts Gartner dataquest (März2009) ergibt sich im Geschäftsjahr 2008 für AIXTRON ein 6 %iger umsatzanteil am noch jungen Markt für Ald-Anlagen (geschätzte Gesamtmarktgröße 2008: ca. usd 200 Mio.). demgegenüber lag der umsatzanteil von AIXTRON am Marktsegment für Wolframsilizid-Cvd- Anlagen zur Herstellung von dRAM- und NANd-Flash-speicherchipanwendungen (Gesamtmarkt 2008: ca. usd 32 Mio.) im Geschäftsjahr 2008 bei rund 18 %. so wie bei den übrigen Anlagenbauern, die speicherchip-Hersteller beliefern, waren die AIXTRON Auftragseingänge von und umsätze mit diesen kunden in 2009 erneut auf einem niedrigen Niveau.