Report-Investor: Roth & Rau AG - Geschäftsbericht 2009

Brief an die Aktionäre Bericht des Aufsichtsrats Corporate Governance Roth & Rau Aktie Erneuerbare Energie Kernmärkte Konzernlagebericht Konzernabschluss Konzern-Anhang Versicherung der gesetzlichen Vertreter Bestätigungsvermerk Für unsere Kunden im Bereich Photovoltaik sind die Reduzierung der Produktionskosten und die Stei- gerung der Wirkungsgrade von entscheidender Bedeutung für ihre künftige Wettbewerbsfähigkeit. Deshalb befassten sich im vergangenen Jahr zahlreiche unserer Forschungs- und Entwicklungspro- jekte mit den Möglichkeiten, diese beiden Parameter zu verbessern. Der übergeordnete Schwerpunkt lag dabei auf der Entwicklung der neuen Zelltechnologien, dem selektiven Emitter und der Hetero-Junction-Technologie. Bei der neuen Technologie des selektiven Emitters werden in einem zusätzlichen Produktionsschritt lokal im Bereich der Frontkontaktlinien höher dotierte Bereiche des Emitters hergestellt. Dadurch stehen mehr freie Ladungsträger zur Verfü- gung, die zu erhöhtem Stromfluss und damit zu einem höheren Wirkungsgrad der Solarzelle beitragen. Roth & Rau verwendet zur Herstellung des selektiven Emitters das an der University of New South Wales entwickelte Laser Doping Verfahren (Laser Doped Selective Emitter). Im nächsten Entwick- lungsschritt wird die Zelle mit Hilfe von Plating (elektrochemische Abscheidung) besser kontaktiert und somit die Ableitung des Stroms verbessert. Diese beiden Neuerungen erhöhen den Wirkungsgrad der Zelle um 0,5 % bis 1 %. Bei der Hetero-Junction-Technologie handelt es sich um die Weiterent- wicklung einer bereits bekannten Technologie, die bis heute erst von einem einzigen Unternehmen industriell genutzt wird. Hetero-Junction-Zellen bestehen aus einem monokristallinen Silizium-Wafer, auf den beidseitig eine dünne Schicht amorphes Silizium sowie eine transparente, leitfähige Oxid- schicht (TCO) aufgebracht werden. Amorphes Silizium weist hervorragende Passivierungseigen- schaften auf, garantiert eine hohe Lichtausbeute und hat ein ausgezeichnetes Temperaturverhalten was insgesamt zu sehr hohen Wirkungsgraden führt. Einen Meilenstein stellte die Entwicklung und Inbetriebnahme zweier Pilotanlagen im Entwicklungslabor der Roth & Rau Switzerland am IMT in Neuchâtel dar, mit denen bereits Anfang Februar 2010, sechs Monate früher als geplant, Solarzellen mit einem Wirkungsgrad von über 20 % hergestellt wurden. Dies bestätigt unser Ziel, mit Einführung der übernächsten Solarzellengeneration auf Basis der Hetero-Junction-Technologie Wirkungsgrade von über 20 % unter Produktionsbedingungen zu erreichen. Auch in Zukunft wird ein Entwicklungs- schwerpunkt auf diesen Hocheffizienz-Technologien liegen. Für 2010 ist zunächst die Einführung des selektiven Emitters als neue Solarzellen-Generation in unseren Turnkey-Lösungen und als Upgrade für bestehende Zellproduktionslinien geplant. Ab 2011 sollen die Anlagen und Fertigungstechnologien für die Hetero-Junction-Technologie in die Massenproduktion überführt werden. Darüber hinaus haben wir unsere bestehenden Produkte kontinuierlich verbessert. Zum einen konn- ten wir den Antireflexbeschichtungsprozess zur Steigerung des Zellwirkungsgrades weiter optimie- ren. Zum andern haben wir neue, kosteneffizientere Plasmaquellen entwickelt und qualifiziert, die sich insbesondere durch eine höhere Beschichtungsgeschwindigkeit auszeichnen und ab 2010 in der neuen Generation der SiNA® -Anlagenserie eingesetzt werden. Der Prototyp des neuen Firingofens CAMiNi wurde ebenfalls fertiggestellt und bereits erfolgreich bei einem großen deutschen Solarzel- lenhersteller getestet. Mit der Entwicklung einer Silizium-Kristallisationsanlage für die Herstellung multikristalliner Wafer konnten wir uns ein neues Technologiesegment erschließen. Künftig sind wir damit in der Lage, auch integrierte Turnkey-Lösungen für die Herstellung von Wafern und Zellen anzubieten. Die Kristallisati- onsanlagen bieten den Kunden zukünftig die Möglichkeit, Ingots aus kostengünstigem metallurgischem Silizium herzustellen und tragen somit zur weiteren Senkung der Produktionskosten bei. Seit 2009 konzentrieren wir unser Angebot im Dünnschichtbereich auf die Cadmiumtellurid-Technologie (CdTe). Hierzu haben wir die Entwicklung einer Beschichtungsanlage für CdTe-Module und, gemein- sam mit unserer Tochtergesellschaft Roth & Rau CTF Solar, die Entwicklung von Turnkey-Produktions- linien für diesen Bereich vorangetrieben. Die Markteinführung der Linien ist im Rahmen des im Feb- ruar 2010 geschlossenen Joint Venture Vertrages mit einem chinesischen Solarunternehmen geplant.